大功率LED作為照明光源具有體積小、耗電小、發熱小、壽命長、響應速度快、安全低電壓、耐候性好、方向性好等優點。外罩可用PC管制作，耐高溫達135度.，低溫-45度。大功率LED作為第四代電光源，賦有“綠色照明光源”之稱，具有體積小、安全低電壓、壽命長、電光轉換效率高、響應速度快、節能、環保等優良特性，必將取代傳統的白熾燈、鹵鎢燈和熒光燈而成為21世紀的新一代光源。大功率LED芯片的制造方法歸納如下：①增加發光的大小 單一的LED發光區域和有效地增加流動的電流量，通過均勻分布層TCL，以達到預期的磁通。但是，簡單地增大發光面積不解決這個問題，散熱問題，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。②硅底板倒裝法 共晶焊料首先，準備一個大的LED面板燈芯片，并準備一個合適的尺寸，在硅襯底和硅襯底，使用金的共晶釬料層和導電層導體（超聲波金絲球窩接頭），以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅襯底。這樣的結構更加合理，不僅要考慮這個問題，考慮到光與熱的問題，這是主流的大功率 LED生產。
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③陶瓷板倒裝法 通用裝置的晶體結構的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導電層，在該區域產生的相應的引線，焊接電極中使用水晶LED芯片和大規格陶瓷薄板焊接的焊接設備。這樣的結構是需要考慮的問題，也是需要考慮的問題，光，熱，使用高導熱陶瓷板，陶瓷板，散熱效果非常好，價格也比較低，更適合為當前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。④藍寶石襯底過渡方法 在藍寶石襯底除去后的PN結的制造商，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然后再連接的傳統的四元材料，制造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上，通過常規的方法。⑤AlGaInN的碳化硅（SiC）背面光的方法 美國Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商，多年來生產的AlGaInN / SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性，易用性，因而成為主流產品的發展AlGaInNLED另一個。
